analyseur de composants pour semi-conducteurs

Description

Informations de base sur le produit: •• Couleurs primaires: Gris •• Couleurs supplémentaires: Noir •• Profondeur du produit: 20 mm •• Hauteur du produit: 70 mm •• Largeur du produit: 103 mm •• Poids Produit: 98 g • Données techniques: •• Courant d'essai maximal de crête dans le S/C: 12 mA •• Tension d'essai maximale de crête dans l'o/s: 12 V •• Spécifications des diodes:

• Courant d'essai : 5,0 mA
• Précision de la tension : -2% -20 mV à +2% +20 mV
• Vf pour l'identification des LED : 1,50 V - 4,00 V
• Seuil de court-circuit : 10 Ohm

• Courant de test de la porte : 4,5 mA
• Courant d'essai de charge : 5,0 mA

• Plage de gain (Hfe): 4 - 65000
• Précision du gain: ± 3 % ± 5 Hfe
• Tension d'essai Vceo: 2.0 V - 3.0 V
• Précision de Vbe: -2 % -20 mV à +2 % +20 mV
• VBE pour Darlington (shunté): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
• Seuil de shuntage base-émetteur: 50 kOhm - 70 kOhm
• Courant de test du collecteur du BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
• Fuite acceptable du BJT: 0.7 mA
• MOSFET:
  
  • Plage de seuil de grille: 0.1 V - 5.0 V
  • Précision du seuil: -2% -20 mV à +2% +20 mV
  • Courant de test de drain: 2.45 mA - 2.55 mA
  • Résistance de grille: 8 kOhm
• Courant de test du drain de déplétion: 4.5 mA
• Courant de test du drain-source du JFET: 0.5 mA - 5.5 mA